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厂商型号

IHW40N135R3FKSA1 

产品描述

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

内部编号

173-IHW40N135R3FKSA1

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:240
1+¥34.8039
10+¥29.5389
25+¥29.0602
100+¥25.6414
250+¥24.2738
500+¥21.6755
1000+¥18.325
2500+¥16.8891
5000+¥16.0002
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:195
1+¥40.513
10+¥36.3709
100+¥29.7994
500+¥25.3676
1000+¥21.3943
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:234
1+¥40.8296
10+¥40.8296
100+¥30.6222
250+¥30.6222
500+¥20.4148
1000+¥20.4148
最小起订量:1
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IHW40N135R3FKSA1产品详细规格

规格书 IHW40N135R3FKSA1 datasheet 规格书
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流在25 C 80 A
连续集电极电流Ic最大 80 A
系列 IHW40N135
集电极 - 发射极饱和电压 1.85 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.35 kV
封装 Tube
功率耗散 215 W
最大栅极发射极电压 20 V
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-247-3
零件号别名 SP000989498
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 240
技术 Si
品牌 Infineon Technologies
Pd - Power Dissipation 429 W
最低工作温度 - 40 C
配置 Single
最高工作温度 + 175 C

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